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國產快閃記憶體半導體晶片,“跳級”突破128層技術,10年追平世界水平

“雄關漫道真如鐵,而今邁步從頭越。”

2020年底,長江儲存Xtacking技術,助力其跳級量產128層堆疊快閃記憶體,沒有代差,追平三星、鎂光、海力士等國外大廠,達到了世界前沿水平!這就是中國速度!

資訊時代NAND Flash儲存晶片對行業及國家來說,至關重要,一直以來,該領域都是美日韓的天下,技術壁壘高嵩,基本屬於壟斷狀態。我國作為最大消費國,缺少自己的拳頭產品,不過今天已經不能同日而語了。

國產快閃記憶體半導體晶片,“跳級”突破128層技術,10年追平世界水平

2006年,湖北武漢組建武漢新芯,進軍半導體DRAM製造領域,沒有核心技術,產品利潤過低,不得不放棄。

2008年,新芯拿到飛索半導體的訂單,為其代工NAND Flash快閃記憶體。

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2008全球金融危機爆發,飛索業績下滑,新芯訂單直線減少,最終在兩年後,走到破產的邊緣,急需注資重組,走合資還是繼續自主創新,讓武漢市陷入兩難,最終,堅持住了初心,由中芯國際注資10億美元控股新芯。

國產快閃記憶體半導體晶片,“跳級”突破128層技術,10年追平世界水平

2013年,中芯國際受到專利訴訟官司的纏繞,無暇顧及新芯的發展,最終退出新芯。

武漢新芯一下,又陷入了泥潭之中,等待救援。

2014年,國家積體電路產業基金、湖北省積體電路產業投資基金股份有限公司、國開發展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司,共同出資入股武漢新芯。至此武漢新芯迎來了其高光發展時刻,正式進入NAND Flash快閃記憶體半導體領域。

2016年中旬,新芯研發的32層3D堆疊NAND 快閃記憶體晶片完成設計,正在緊鑼密鼓的進行生產測試中,同年,三星開始量產64層堆疊NAND 快閃記憶體晶片,新芯只比三星差了一代。

2016年7月,新芯迎來新股東紫光集團,武漢新芯公司更改為長江儲存公司,長江儲存正式走向江湖。

2017年初,長江儲存在南京投資2000億元,建設快閃記憶體生產工廠。

長江儲存工廠規模一下,翻了一翻,但是快閃記憶體技術跟新換代很快,若不能持續生產更高代的產品,企業將面臨產品技術滯後,難於賣出去的局面,對此,長江儲存想和飛索合作,但是飛索有限的技術能力,難以滿足長江儲存的發展。

這時,與中科院合作快閃記憶體有了革命性技術的突破。

2018年,長江儲存在美國召開的快閃記憶體技術峰會上,打開了自己的“潘多拉之盒”,即釋出了長江儲存自主研發的

Xtacking技術,一舉打破國外廠商的技術壟斷。

國產快閃記憶體半導體晶片,“跳級”突破128層技術,10年追平世界水平

Xtacking技術,是秉去現有3DNAND晶片單片設計所有電路的模式,將儲存電路和邏輯電路在不同的晶圓上設計,在透過垂直的柱子,將二者連線起來,這樣不僅節省設計時間,還增加產品的密度,效率更高。

長江儲存

Xtacking技術,受到同行競爭對手的稱讚,同時,他們的心裡充滿了擔憂,不過這種擔憂,遲早會到來的。

2019年9月,長江儲存科技正式釋出,基於Xtacking架構的64層256TLC 3D NAND快閃記憶體進入量產階段。

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同年,三星、鎂光開始量產96層3DNAND,面對代差,長江儲存經研究,決定越過96層快閃記憶體,直接研發128層3DNAND。

2020年4月,長江儲存成功研發出128層3DNAND。

2020年底,長江儲存128層NAND開始量產,與三星、鎂光等國外大咖站在同一起跑線上,完全沒有了代差,使得長江儲存達到了世界前沿水平!

國產快閃記憶體半導體晶片,“跳級”突破128層技術,10年追平世界水平

總結,縱觀長江儲存的崛起之道,一路伴隨泥濘與坎坷,但是一路牢記著初心和使命,從無核心技術到開發出自主Xtacking技術,從一路跟隨國際大咖,到與三星、鎂光等公司站在同一水平,這是我國科技企業的實力。

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