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新加坡與法國Soitec合作開發200毫米低成本碳化矽半導體器件

1月10日,新加坡科學、技術和研究機構 (A*STAR)旗下微電子研究所 (IME)和法國Soitec半導體公司宣佈開展研究合作,共同開發滿足電動汽車和高壓電子裝置應用的碳化矽器件。具體而言則是IME採用Soitec專有技術生產的200毫米直徑碳化矽襯底開發外延及MOSFET,並以此建立基準展示優勢。

新加坡與法國Soitec合作開發200毫米低成本碳化矽半導體器件

使用Smart Cut技術切割的碳化矽晶圓片

法國Soitec利用其智慧切割技術(Smart Cut),可生產高效能、低能耗和低成本的150mm和200mm直徑碳化矽晶圓襯底。Smart Cut技術是在低質量的載體上貼上高質量的單晶碳化矽,形象一些的比喻是把碳化矽襯底變成和三明治一樣的結構。這樣不僅可以提升元件的電氣效能,同時還可以降低成本,提升產量。簡單用數字對比,該技術可以將傳統工藝生產的碳化矽襯底變成10個。

A*STAR(Agency for Science,Technology and Reseach)是新加坡最大的科研機構,旗下IME(Institute of Microelectronics)則在積體電路和系統以及研究設計和過程技術方面建立了強大的專門知識和能力。

雙方本次研究合作計劃持續到 2024 年年中,Soitec 首席技術官兼高階執行副總裁Christophe Maleville表示:“這是我們與新加坡微電子研究所合作並展示SmartSiC襯底可擴充套件到 200mm 的絕佳機會。作為這一新工藝的主要受益者,新加坡的半導體生態系統將有機會驗證透過我們合作生產的 SiC 晶圓的卓越能效。”

編譯 YUXI

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