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綜合英飛凌提供的這些一手資訊，華爾街把襯底供應局勢的這一變化稱之為襯底“大宗商品化“——未來碳化矽器件廠商可能不再需要像安森美、意法和羅姆等大廠那樣，在公司內部實現從晶錠製備、外延生長、器件製造到高效能封裝的整個碳化矽價值鏈垂直整合，而只需...

市盈率：nan）個股亮點：公司是一家國內領先的寬禁帶半導體（第三代半導體）襯底材料生產商，主要從事碳化矽襯底的研產銷，產品可廣泛應用於微波電子、電力電子等領域...

【嘉勤點評】長江儲存的3D NAND儲存器專利，透過在襯底上形成具有凹槽的三維圖形來形成三維結構的電容器，保證半導體器件的整合密度較大，從而緩解了電容器對半導體器件的尺寸縮小的限制問題...

襯底表面預處理上面我們聊了SiC器件研製過程中對外延層影響較為重要的“微管”缺陷，下面我們在來聊聊整個生長過程中比較重要的一個環節——外延生長前對襯底表面的預處理，對於改善襯底結果特性具有重要意義，俗話說“磨刀不誤砍柴工”...

2007 年，山東大學寧麗娜等首次報道了半絕緣6H-SiC單晶的生長工作 ，採用 V 摻雜技術獲得電阻率高於1010Ω·cm的襯底材料...

1月10日，新加坡科學、技術和研究機構 （A*STAR）旗下微電子研究所 （IME）和法國Soitec半導體公司宣佈開展研究合作，共同開發滿足電動汽車和高壓電子裝置應用的碳化矽器件...

正如《物理評論快報》雜誌所報道的那樣，由伊利諾伊大學香檳分校的蔣泰昌和他的博士後助手林孟凱領導的團隊利用伯克利實驗室的先進光源（ALS）來探測二維半導體 - 碲化鈦的電子特性的變化，因為碲化鉑的厚度增加...

期間，“IFWS  2021：材料與裝備論壇（碳化矽襯底與外延專場）“將於12月7日上午（深圳會展中心五層玫瑰3）舉行，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、山西爍科晶體有限公司、哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司協辦...

保定市副市長王建峰表示，碳化矽單晶襯底專案投產啟動儀式以及院士專家服務中心揭牌儀式既是匯聚以院士專家為代表的高階智力資源的重要舉措，也是保定與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟深化合作的重要起點，標誌著保定市戰略性新興產業邁入新的發展階段，意...

表1  氮化鋁與其他第三代半導體材料引數/效能對比自2016年5月成立以來，奧趨光電始終專注於超寬禁帶半導體AlN晶圓襯底材料及其核心裝備——全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐的研發與製造，並於2019年4月應諾貝爾物理學獎獲得者天野浩教授為主席...

來自日本國家先進工業科學技術研究所的Takashi Matsumae團隊透過將氧等離子體活化的 InP 基板和用NH3/H2O2清潔的金剛石襯底在大氣條件下接觸，隨後將InP/金剛石複合樣品在 250°C 下退火，使兩種材料透過厚度為 3 ...