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由上面的模擬實驗結果來看，在MOS管柵極上所串聯的電阻需要根據具體的MOS管和電路分佈雜散電感來確定，如果它的取值小了，就會引起輸出振鈴，如果大了就會增加MOS管的開關過渡時間，從而增加功耗...

SiC在主逆變器、OBC、DC-DC的應用如上所述，碳化矽功率器件在功率密度、效率和冷卻工作方面具有顯著的系統優勢，因為與矽 IGBT 相比，它們的損耗更低...

總體來看，矽基IGBT的電氣特性接近SiC MOSFET晶片的90%，而成本則是SiC MOSFET的25%，由於矽便宜又好用，因此，SiC和矽混合開關模組會有很大的市場應用前景，而純SiC晶片及器件要想在汽車功率系統當中普及，還需要時間...

結語電動汽車在高速增長的同時也帶動了市場對碳化矽功率器件的需求，碳化矽功率器件在高壓應用中降低能量損耗，提高系統效率的特性，吸引了更多廠商的關注，博世、東芝、羅姆、三安光電等企業紛紛開展擴產計劃，以應對後期電動車市場爆發所帶來的增長...

▲東微半導2018年-2021年上半年前五大供應商三、本土MOSFET廠商銷售額第七，研發人員佔比46%在功率半導體領域，國際廠商優勢明顯，全球前十大功率半導體公司均為海外廠商，包括英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導體、亞德諾、高通、瑞薩電...

報告分析了目前碳化矽MOSFET技術主要面臨問題及解決方法，以及國基南方下一步進展及未來發展規劃...

而全球功率半導體市場中，用於工業控制比重最高，達34%，其次是汽車及通訊領域各佔23%，消費電子則佔20%...

美國布法羅大學科研團隊開發了一種新形式的功率MOSFET電晶體，這種電晶體可以用最小的厚度處理難以置信的高電壓，可能會提升電動汽車電力電子元件效率...

據招股書介紹，東微半導體是國內少數具備從專利到量產完整經驗的高效能功率器件設計公司之一，並在應用於工業級領域的高壓超級結和中低壓功率器件產品領域實現了國產化替代，是少數能在超級結MOSFET領域突破海外技術壟斷的本土公司之一，積累了全球知名...