SiC 外延缺陷

SiC 外延缺陷

襯底表面預處理上面我們聊了SiC器件研製過程中對外延層影響較為重要的“微管”缺陷,下面我們在來聊聊整個生長過程中比較重要的一個環節——外延生長前對襯底表面的預處理,對於改善襯底結果特性具有重要意義,俗話說“磨刀不誤砍柴工”...

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「利普思半導體」獲數千萬元A+輪融資,自研碳化矽模組已落地電動車及光伏等領域|早起看早期

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成立於2019年的利普思是36氪長期關注的公司,專注於高效能SiC與IGBT功率模組的研發、生產和銷售,主要基於創新封裝材料及封裝技術,為控制器的小型化、輕量化和高效化提供完整的解決方案,覆蓋新能源汽車、氫能車、光伏等行業應用...

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