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奧趨光電正式批次量產新一代超寬禁帶半導體高階材料—— 高質量氮化鋁單晶襯底系列產品

奧趨光電正式批次量產新一代超寬禁帶半導體高階材料—— 高質量氮化鋁單晶襯底系列產品

表1  氮化鋁與其他第三代半導體材料引數/效能對比自2016年5月成立以來,奧趨光電始終專注於超寬禁帶半導體AlN晶圓襯底材料及其核心裝備——全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐的研發與製造,並於2019年4月應諾貝爾物理學獎獲得者天野浩教授為主席...

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