在更高密度、速度和成本節約方面具有優勢

新加坡——（美國商業資訊

）——

Unisantis

®

Electronics

Singapore Pte。 Ltd。

今天公佈了公司在動態快閃記憶體（DFM）®技術方面的進展，這是該行業為未來的低成本、高密度嵌入式或獨立式儲存器應用尋找DRAM替代品的一次飛躍。與DRAM或其他型別的易失性儲存器相比，DFM能夠提供更快的速度和更高的密度。

5月18日，在第13屆電氣與電子工程師協會

（IEEE）

國際儲存器研討會

（IMW）

上，Unisantis的Koji Sakui博士和Nozomu Harada博士在一篇題為《帶有雙柵極環繞柵極電晶體（SGT）的動態快閃記憶體》

（

Dynamic Flash Memory withSurrounding Gate Transistor （SGT）

）

的論文中首次介紹了由他們發明的DFM。

DRAM是一種易失性、基於電容器、破壞性讀取的儲存器，如何在不增加功耗的情況下，繼續以更低的成本增加更多的儲存量，是其長期以來面臨的挑戰。DFM採用一種革命性的方法來克服傳統易失性儲存器（如DRAM）的侷限性，這類傳統儲存器天生具有短暫、規律且耗電的重新整理週期以及破壞性的讀取過程。

DFM也屬於易失性儲存器，但由於不依賴電容器，因此洩漏路徑較少，在開關電晶體和電容器之間沒有連線。其結果是一種有可能大幅提高電晶體密度的單元設計，因為DFM不僅能提供塊重新整理，而且作為快閃記憶體還能提供塊擦除，它可以降低重新整理週期的頻率和開銷，與DRAM相比，在速度和功率方面有顯著改善。

透過使用TCAD模擬，Unisantis證明了DFM與DRAM相比具有將密度提高4倍的巨大潛力。根據IEEE國際固態電路會議（ISSCC）最近發表的論文，DRAM的擴充套件性幾乎已經停止在16Gb。

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單元密度下的DFM模型

顯示出了DFM的完美結構。DFM的設計和開發意味著顯著的

Gb/mm

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改進，對於DRAM的限制（目前為16Gb），在使用DFM經徹底增強的單元結構之後，可能會立即增加到64Gb記憶體。

取代DRAM是行業的一項重大挑戰，這不僅是因為今天的DRAM佔當前儲存器市場需求的50%以上

（

Yole Development， 2020）

。

預測顯示，到2025年，這種低成本、高密度的DRAM將繼續增長並且市場規模將突破1000億美元。然而，包括無電容DRAM、ZRAM或簡單化的GAA和Nanosheet方法在內的某些替代品方案同樣面臨著挑戰，與DFM相比，它們都有各自的侷限性。

DFM的共同發明人、Unisantis公司的Koji Sakui評論道：“儲存器行業早已接受了DRAM技術接近其壽命終點的事實，但其巨大的市場意味著任何替代技術都必須在效能、成本和未來可擴充套件性之間取得適當的平衡。在大量的內部研究和測試之後，我們很高興向市場推出DFM，使之成為長期可行的DRAM首選替代方案。”

Unisantis Electronics高階副總裁James Ashforth-Pook補充道：“我們很高興能夠展示動態快閃記憶體（Dynamic Flash Memory），它與目前的DRAM架構相比具有明顯的優勢。”

在今天的釋出之後，公司目前正在尋求進一步推動自身技術發展，同時透過一系列儲存器和代工合作伙伴關係，在外部測試和演示DFM的功能和更充分的潛力。