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中國芯加速前進!南大光電再傳新進展,開始打破日美壟斷

晶片被譽為“現代工業的糧食”,其重要性越來越大。因此,晶片製造就顯得更加重要。但要做好晶片製造,就需要解決晶片製造裝置、製造材料和設計軟體等問題。

一直以來,關注較多的是光刻機這個最重要的晶片製造裝置。其實,晶片製造材料光刻膠的重要性也不遜於光刻機。如今,南大光電再傳新進展,開始打破日美壟斷!

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光刻機之所以至關重要,主要是因為光刻工藝是晶片製造過程中最重要的環節,在整個晶片總耗時中佔比達到50%左右。而光刻過程中的七大流程,首先就是要塗膠。

這裡塗的膠就是光刻膠,並且光刻膠跟光刻機一樣,其精度同樣制約著晶片製程的前進,就是不同製程節點就需要不同的光刻機。比如,7nm以下就需要EUV光刻膠。

因此,光刻膠也是晶片製造過程中必不可少的材料之一,其重要性甚至比肩光刻機。

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光刻膠的種類非常多,晶片製造用的光刻膠基本對標光刻機,根據所適配的刻蝕用光的波長不同,市場上半導體光刻膠主要分為g線、i線、KrF、ArF、EUV這幾類。

半導體光刻膠由於純度要求非常高,生產工藝很複雜,需要長期的技術積累,屬於高技術壁壘材料。目前,全球光刻膠市場基本上被日美企業壟斷,自給率不足10%。

光刻膠的追趕相當不易,因為面臨著三大壁壘:專利壁壘、客戶壁壘、裝置壁壘。

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首先是專利壁壘。

截止到去年9月,日本光刻膠專利申請量佔46%,美國佔25%,而我國僅佔7%。不過,我國光刻膠專利的申請量正在快速增長,這是好的發展趨勢。

其次是客戶壁壘。

光刻膠驗證時間較長,過程還很繁瑣。光刻膠廠商要持續給客戶送樣,聽取客戶反饋後再改進,這樣反覆有時會超過50多次,過程需要兩三年時間。

因此,光刻膠驗證成功的客戶一般都不願意更換供應商,這就制約了新廠家的發展。

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再者是裝置壁壘。

為解決客戶不願意驗證的問題,新進的光刻膠廠商就需要自己購買光刻機,擁有自我驗證能力,以加速驗證過程。然而,光刻機的價格又非常高昂。

購買光刻機無疑就增加了成本,因為光刻機開機成本幾乎跟購置成本相同。為此,我國光刻膠企業只能購買二手光刻機,南大光電、晶瑞股份、上海新陽之前都買過。

不過,即使三大壁壘非常高,我們光刻膠企業也取得了突破進展,尤其是南大光電。

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前段時間,南大光電對外宣佈,公司自主研發的Arf光刻膠已經開始大規模投產,可用於14nm及以上製程晶片製造,並且正在向多家下游主要客戶進行光刻膠的驗證。

南大光電還針對同一客戶的不同需求開發了不同的產品,以滿足客戶的多樣化需求。

近日,南大光電再次傳來重要進展,ArF光刻膠已透過兩家客戶驗證,一家是儲存晶片製造企業,另一家是邏輯晶片製造企業,還有多款產品正在多家客戶同時進行認證。

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g線、i線、KrF這三種光刻膠國內已經可以量產,但自給率還較低,還需要進一步提升產能。目前,g線、i光刻膠自給率約為20%,晶瑞股份、北京科華微等在做。

上海新陽主攻KrF和幹法ArF光刻膠,已經進入產能建設階段,但自給率不足5%。

南大光電的ArF光刻膠可用於90-14nm,正是DUV光刻機需要配套使用的。這次通過了兩家客戶驗證,南大光電正式成為了透過產品驗證的第一家國產ArF光刻膠企業。

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即使在國際上,ArF光刻膠也只有少數幾家公司可以做到產品級配方的調製。光刻膠產品通過了客戶驗證,就可以批次供貨了。因此,南大光電在這方面打破了日美壟斷。

光刻膠的落後將會嚴重製約我們的晶片製造發展,尤其是高階晶片,ArF光刻膠突破,接下來必然就是EUV光刻膠,儘管目前我們還用不到,但必須提前進行技術研發。

目前,我們正在大舉擴產成熟製程產能,ArF光刻膠突破將進一步加速中國芯前進!

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