由於PCB製造複雜的工藝流程，在智慧製造規劃與建設時，需考慮工藝、管理的相關工作，進而再進行自動化、資訊化、智慧化佈局。
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工藝流程分類
按PCB層數不同，分為單面板、雙面板、多層板，這三種板子流程不太相同。
單面和雙面板沒有內層流程，基本是開料——鑽孔——後續流程。
多層板會有內層流程
1）單面板工藝流程
開料磨邊鑽孔外層圖形（全板鍍金）蝕刻檢驗絲印阻焊（熱風整平）絲印字元外形加工測試檢驗
2）雙面板噴錫板工藝流程
開料磨邊鑽孔沉銅加厚外層圖形鍍錫、蝕刻退錫二次鑽孔檢驗絲印阻焊鍍金插頭熱風整平絲印字元外形加工測試檢驗
3）雙面板鍍鎳金工藝流程
開料磨邊鑽孔沉銅加厚外層圖形鍍鎳、金去膜蝕刻二次鑽孔檢驗絲印阻焊絲印字元外形加工測試檢驗
4）多層板噴錫板工藝流程
開料磨邊鑽定位孔內層圖形內層蝕刻檢驗黑化層壓鑽孔沉銅加厚外層圖形鍍錫、蝕刻退錫二次鑽孔檢驗絲印阻焊鍍金插頭熱風整平絲印字元外形加工測試檢驗
5）多層板鍍鎳金工藝流程
開料磨邊鑽定位孔內層圖形內層蝕刻檢驗黑化層壓鑽孔沉銅加厚外層圖形鍍金、去膜蝕刻二次鑽孔檢驗絲印阻焊絲印字元外形加工測試檢驗
6）多層板沉鎳金板工藝流程
開料磨邊鑽定位孔內層圖形內層蝕刻檢驗黑化層壓鑽孔沉銅加厚外層圖形鍍錫、蝕刻退錫二次鑽孔檢驗絲印阻焊化學沉鎳金絲印字元外形加工測試檢驗
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內層製作(圖形轉移)
內層：裁板，內層前處理，壓膜，曝光，DES連線
切料（裁板-Board Cut）
1）開料裁板
目的： 按照訂單要求將大料切成MI 規定的大小（依制前設計所規劃要求，將基板材料裁切成工作所需尺寸）
主要原物料：基板，鋸片
基板是由銅片和絕緣層壓合而成，依要求有不同板厚規格，依照銅厚可分為H/H，1OZ/1OZ，2OZ/2OZ等種類
注意事項：
a。避免板邊巴里影響品質，裁切後進行磨邊，圓角處理
b。考慮漲縮影響，裁切板送下製程前進行烘烤
c。裁切須注意機械方向一致原則
磨邊/圓角：透過機械打磨去除開料時板四邊的直角留下的玻璃纖維，以減少在後工序生產過程中擦花/劃傷板面，造成品質隱患
烤板：透過烘烤去除水汽和有機揮發物，釋放內應力，促進交聯反應，增加板料尺寸穩定性，化學穩定性和機械強度
控制點：
板料：拼板尺寸，板厚，板料型別，銅厚
操作：烤板時間 /溫度，疊板高度
（2）裁板後內層製作
作用及原理：
經過磨板粗化的內層銅板，經磨板乾燥，貼上幹膜IW後，利用UV光（紫外線）照射，曝光後的幹膜變硬，遇弱鹼不能溶解，遇強鹼能溶解，而未曝光的部分遇弱鹼能溶解掉，內層線路就是利用該物料的特性將圖形轉移到銅面上來的，即影象轉移。
Detail ：（在曝光區域抗蝕劑中的感光起始劑吸收光子分解成遊離基，遊離基引發單體發生交聯反應生成不溶於稀鹼的空間網狀大分子結構，而未曝光部分因未發生反應可溶於稀鹼。
利用二者在同種溶液中具備不同溶解效能從而將底片上設計的圖形轉移到基板上即完成影象轉移）。
線路圖形對溫溼度的條件要求較高，一般要求溫度22+/-3℃，溼度55+/-10%，以防止菲林的變形。對空氣中的塵埃度要求高，隨製作的線路密度增大及線路越小，含塵量小於等於1萬級以上。
物料介紹：
幹膜：幹膜光致蝕劑簡稱幹膜（Dry film）為水溶性阻劑膜，厚度一般有1。2mil ，1。5mil 和2mil 等，分聚酯保護膜，聚乙烯隔膜和感光膜三層。聚乙烯隔膜的作用是當卷狀幹膜在運輸及儲存時間中，防止其柔軟的阻膜劑與聚乙烯保護膜之表面發生沾黏。而保護膜可防止氧氣滲入阻劑層與其中自由基產生意外反應而使其光聚反應，未經聚合反應的幹膜則容易被碳酸鈉溶液衝脫。
溼膜：溼膜為一種單組分液態感光膜，主要由高感光樹脂，感光劑，色料，填料及少量溶劑組成，生產用粘度10-15dpa。s，具有抗蝕性及抗電鍍性，溼膜塗覆方式有網印，噴塗等方式。
流程介紹：
幹膜成像法，生產流程如下：
前處理——壓膜——曝光——顯影——蝕刻——去膜
前處理（Pretreate）
目的：去除銅面上的汙染物如油脂氧化層等雜質，增加銅面的粗糙度，以利於後續的壓膜製程
主要原物料：刷輪
前處理方式：
（1）噴砂研磨法
（2）化學處理法
（3）機械研磨法
化學處理法的基本原理：以化學物質如SPS等酸性物質均勻咬蝕銅表面，去除銅表面的油脂及氧化物等雜質。
化學清洗：
用鹼溶液去除銅表面的油汙，指印及其他有機汙物，然後用酸性溶液去除氧化層和原銅基材上未防止銅被氧化的保護塗層，最後再進行微蝕處理以得到與幹膜具有優良粘附效能的充分粗化的表面。
控制要點：
a。磨板速度（2。5-3。2mm/min）
b。磨痕寬度（500#針刷磨痕寬度：8-14mm ，800# 不織布磨痕寬度：8-16mm），水磨實驗，烘乾溫度（80-90℃）
壓膜（Lamination）
目的：將經處理之基板銅面透過熱壓方式貼上抗蝕幹膜。
主要原物料：幹膜（Dry Film），溶液顯像型，半水溶液顯像型，水溶性幹膜主要由其組成中含有機酸根，會與強鹼反應使之成為有機酸根類，可被誰溶掉。
原理：轆幹膜（貼膜）：先從幹膜上剝下聚乙烯保護膜，然後在加熱加壓的條件下將幹膜抗蝕劑貼上在覆銅箔板上，幹膜中的抗蝕劑層受熱變軟，流動性增加，藉助於熱壓轆的壓力和抗蝕劑中粘結劑的作用完成貼膜。
轆幹膜三要素：壓力，溫度，傳遞速度
控制要點：
a。貼膜速度（1。5+/-0。5m/min），貼膜壓力（5+/-1kg/cm2），貼膜溫度（110+/——10℃），出板溫度（40-60℃）
b。溼膜塗布：油墨粘度，塗布速度，塗布厚度，預烤時間/溫度（第一面5-10分鐘，第二面10-20分鐘）
曝光（Exposure）
目的：經光源作用將原始底片上的影象轉移到感光底板上。
主要原物料：底片內層所用底片為負片，即白色透光部分發生聚合反應，黑色部分則因不透光，不發生發應，外層所用的底片為正片，與內層所用底片相反。
幹膜曝光原理：在曝光區域抗蝕劑中的感光起始劑吸收光子分解成遊離基，遊離基引發單體發生交聯反應生成不溶於稀鹼的空間網狀大分子結構。
控制要點：
對位精準，曝光能量，曝光光尺（6-8級蓋膜），停留時間。
顯影（Developing）
目的：用鹼液作用將未發生化學反應之幹膜部分沖掉。
主要原物料：Na2CO3
使用將未發生聚合反應之幹膜沖掉，而發生聚合反應之幹膜則保留在板面上作為蝕刻時之抗蝕保護層。
顯影原理：感光膜中未曝光部分的活性基團與稀鹼溶液發生反應生成可溶性物質而溶解下來，從而把未曝光的部分溶解下來，而曝光部分的幹膜不被溶解。
控制要點：
a。 顯影速度（1。5-2。2m/min），顯影溫度（30+/-2℃）
b。顯影壓力（1。4-2。0Kg/Cm2），顯影液濃度（N2CO3濃度0。85-1。3%）
蝕刻（Etching）
目的：利用藥液將顯影后露出來的銅蝕掉，形成內層線路圖形。
主要原物料：蝕刻藥液（CuCl2）
內層蝕刻原理：內層圖形轉移製程中，D/F或油墨是作為抗蝕刻，有抗電鍍之用或抗蝕刻之用，因此大部分選擇酸性蝕刻（幹膜/溼膜覆蓋電路圖形的表面。
防止銅蝕刻：
其他裸露在基板上不要的銅，以化學反應將予以除去，使其形成所需的線路圖形，線路圖形蝕刻完成再以氫氧化鈉溶液退幹膜/溼膜）。
常見問題：蝕刻不淨，蝕刻過度，線幼，開路，短路。
控制要點：
a。蝕刻：速度，溫度（48-52℃），壓力（1。2-2。5Kg/cm2）
b。退膜：44-54℃，8-12%NaOH溶液
去膜（Strip）
目的：利用強鹼將保護銅面之抗蝕層剝掉，露出線路圖形。
主要原料：NaOH
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