近日，有多位數碼博主公佈實測資料稱，華為Mate40 Pro的快閃記憶體讀寫速度超過了UFS 3。1，疑似採用了華為自研的一種新型快閃記憶體（或為sfs 1。0）。

根據數碼博主@小白測評 實測資料顯示，華為Mate40 Pro的持續讀取、寫入速度分別達到了1966MB/s、1280MB/s，遠高於其他旗艦手機。作為對比，採用UFS3。1快閃記憶體的小米10至尊版的讀寫速度分別為1772MB/s、789MB/s；三星Note20 Ultra分別為1750MB/s、736MB/s。可見，華為Mate40 Pro快閃記憶體寫入提升十分明顯，增幅超過70%。

在隨機讀寫效能方面，華為Mate40 Pro隨機讀取速度實測為383MB/s，隨機寫入更是達到了誇張的548MB/s，較一般UFS 3。1機型幾乎翻倍。

此前有博主猜測，Mate 40 Pro能如此高的讀寫速度，可能是華為將UFS 3。1最佳化到了極致。但根據艾奧科技的Mate40 RS保時捷設計的拆機影片中，第一次發現了印有海思Logo的快閃記憶體，這似乎已經說明，華為已經有自研的快閃記憶體了。

隨後有網友爆料稱，華為Mate 40 Pro、Mate 40 Pro+以及Mate40 RS保時捷設計採用了華為自研的一種新型快閃記憶體（或為sfs 1。0）。但華為官方從未公開提及，也未在釋出會上進行宣傳，技術細節尚不清楚。但實測結果已經表明，華為Mate 40 Pro的快閃記憶體效能目前在眾多旗艦機中是一馬當先，至於所有快閃記憶體背後的技術，還有待更多挖掘。

其實華為很早就有自研SSD快閃記憶體控制器，同時有做一些快閃記憶體技術的研發也並不奇怪。但是，需要指出的是，華為海思只是晶片設計公司，晶片製造一向是交由晶圓代工廠來生產。但是，在儲存晶片市場，並沒有代工一說，因為主流的的儲存晶片廠商都是IDM，即自己設計、自己生產，而且不會給其他晶片設計公司代工儲存晶片。

考慮到美國禁令的影響，很多晶片廠商在9月15日之後，就無法向華為供貨，華為還在現貨市場買了很多儲存晶片，可能是為了避免對供應商產生影響，也可能是為了避免外界對於華為目前的儲存晶片的庫存情況的推測，華為有可能會對儲存晶片進行重新絲印，打上海思的LOGO。

但是，這並不能完全解釋，為何Mate 40 Pro系列的儲存晶片的讀寫效能表現能大幅超過UFS3。1。那麼是華為與儲存晶片廠商合作，在儲存晶片當中加入了其自研的IP了嗎？

當然，這些都只是猜測，具體如何可能還需要對其儲存晶片進行更為深入的分析才能解開謎團。

編輯：芯智訊-林子

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