器件工作原理示意圖基於前期的工作積累,研究人員從GaN基半導體p-n異質結能帶結構設計,MBE外延工藝探索及奈米線形貌調控出發,結合DFT第一性原理理論計算最佳化及半導體表面金屬鉑(Pt)奈米顆粒定向修飾,成功構建了基於p-AlGaN/n-...
Read more器件工作原理示意圖基於前期的工作積累,研究人員從GaN基半導體p-n異質結能帶結構設計,MBE外延工藝探索及奈米線形貌調控出發,結合DFT第一性原理理論計算最佳化及半導體表面金屬鉑(Pt)奈米顆粒定向修飾,成功構建了基於p-AlGaN/n-...
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