GaN功率開關器件替換Si基MOSFET器件在高頻電源中的應用，並非簡單意義上的直接替換。GaN基電源最大的特點是將電源工作頻率提高數十倍，然而，工作頻率的提高會帶來嚴峻的噪聲處理問題。另一方面，GaN器件閾值電壓低、抗噪聲能力弱，且存在固有的物理缺陷，可靠性問題同樣備受關注。
2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，半導體產業網、第三代半導體產業主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化矽、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。
屆時，南京大學電子科學與工程學院陳敦軍教授/博士生導師將受邀出席峰會，並分享“氮化鎵功率開關器件及其高頻電源應用”主題報告。報告將從器件、驅動、控制、拓撲電路等方面全方位介紹針對性解決方案，重點討論新型器件工藝與結構、矩陣式高頻平面變壓器、智慧監管三大核心技術，旨在實現超輕薄高頻電源，並基於該目標基礎上，進一步提出可能的提升產品效率和工作可靠性方案。
欲知最新研究進展與成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。
【嘉賓簡介】
陳敦軍，南京大學電子科學與工程學院教授，博士生導師，2006-2007年受哈佛大學GSAS資助到其奈米器件中心開展氮化物半導體器件方面研究工作，2012-2013年作為訪問學者到瑞典皇家工學院應用物理系進行學術交流。目前主要從事GaN基光電子器件、電力電子器件及驅動電路模組等方面研究工作，曾先後主持了國家自然科學基金面上/重點、國家重點研發計劃課題、江蘇省重點研發計劃等科研專案，發表SCI論文200餘篇。
會務組也誠摯歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位能參會與陳敦軍教授多多交流！
更多會議最新資料請往下檢視：
2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會
2021年9月13-14日 南京·城市名人酒店
【組織機構】
指導單位
南京大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
主辦單位
半導體產業網
第三代半導體產業 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
贊助支援單位
【會議安排】
【嘉賓&報告】
（向上滑動啟閱）
1、9月13日報告（陸續更新中）
嘉賓：
於坤山——第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長
報告：
中國功率與射頻技術市場現狀及未來展望
嘉賓：
陳堂勝——中國電科首席科學家/微波毫米波單片整合和模組電路重點實驗室主任
報告：
低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
嘉賓：
陳敦軍——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
報告：
GaN功率開關器件及其高頻電源應用
嘉賓：
劉斯揚——東南大學教授
報告：
SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
嘉賓：
龍世兵——中國科學技術大學微電子學院執行院長
報告：
低成本高效能氧化鎵功率器件
嘉賓：
Dr Simon Li——Founding director， Crosslight Software Inc and GaNPower Intl。 Inc
報告：
Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
嘉賓：
戴小平-株洲中車電氣時代/湖南國芯總經理
報告：
淺析SiC模組封裝技術
嘉賓：
Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理研究員
報告：
1。2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
嘉賓：
黃潤華——中電科五十五所副主任設計師
報告：
碳化矽MOSFET技術問題及55所產品開發進展
嘉賓：
龔平——西安唐晶量子科技有限公司董事長
報告：
6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術
嘉賓：
張 雲——天津大學電氣自動化與資訊工程學院教授
報告：
新能源汽車電力電子系統及其執行控制
2、9月14日報告（陸續更新中）
嘉賓：
程新紅——中科院上海微系統研究所研究員
報告：
SOI基GaN材料及功率器件整合技術
嘉賓：
鄧小川——電子科技大學教授
報告：
極端應力下碳化矽功率MOSFET的動態可靠性研究
嘉賓：
惠 峰——雲南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員
報告：
VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研製及應用
嘉賓：
陳 鵬——南京大學教授
報告：
GaN肖特基功率器件新進展
嘉賓：
Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
報告：
Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
嘉賓：
倪煒江——安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
報告：
高效能高壓碳化矽功率器件設計與技術
嘉賓：
李 強——西安交通大學副教授
報告：
基於HBN 的射頻器件
嘉賓：
吳 彤——安森美首席SiC 專家
報告：
Adopt of SiC devices in EV applications
嘉賓：
吳 亮——奧趨光電CEO
報告：
AlN/AlScN材料製備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望
嘉賓：
張保平——廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
報告：
氮化鎵基VCSEL技術進展
嘉賓：
蔚 翠——中電科第十三研究所研究員
報告：
金剛石微波功率器件研究
嘉賓：
左 超——愛發科商貿（上海）有限公司電子營業部部長
報告：
量產高效能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術
嘉賓：
裴軼/Amgad Alsman——蘇州能訊高能半導體有限公司技術副總裁/中國科學技術大學
報告：
基於物理的5G射頻GaN 電晶體模型、趨勢和挑戰
嘉賓：
王祁玉——益豐電子副總經理
報告：
射頻器件（TBD）
嘉賓：
袁 理——青島聚能創芯微電子有限公司
報告：
面向快充應用的GaN材料和器件技術
嘉賓：
劉 雯——西交利物浦大學副教授
報告：
矽基GaN MIS-HEMT 單片整合技術
嘉賓：
英諾賽科科技股份有限公司
報告：
八英寸矽基氮化鎵技術進展（TBD）
嘉賓：
葉建東——南京大學教授
報告：
氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
嘉賓：
彭 燕——南砂晶圓研發中心主任，山東大學副教授
報告：
碳化矽與金剛石單晶襯底技術與產業化研究
嘉賓：
葉念慈——三安整合技術市場總監
報告：
（TBD）
嘉賓：
紐應喜——啟迪半導體研發總監
報告：
碳化矽外延裝備及技術進展
嘉賓：
童吉楚——乾照鐳射副總經理
報告：
VCSEL 技術 （TBD）
嘉賓：
向鵬博士——蘇州晶湛半導體有限公司研發經理
報告：
用於新型GaN功率器件的外延技術進展
嘉賓：
楊學林——北京大學物理學院高階工程師
報告：
Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
嘉賓：
Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
報告：
Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
嘉賓：
徐尉宗——南京大學研究員
報告：
面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
嘉賓：
張珺——南京郵電大學教授
報告：
Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
嘉賓：
樊嘉傑——復旦大學青年研究員
報告：
SiC功率器件先進封裝材料及可靠性最佳化設計
更多報告嘉賓正在確認中！！！
擬參與單位：
華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、雲南鍺業、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網、中芯整合、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學，電子科技大學，河北同光、山東天嶽、天津大學、聚能創芯，賽微電子，南京百識，唐晶量子，天科合達，漢驊半導體，南京百識，大族鐳射，德儀，江蘇三代半研究院等
參會註冊 ：
註冊費 2000 （會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：
中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：
336 356 029 261
名 稱：
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
如果您想參會，可以直接掃碼預報名，
我們會第一時間和您聯絡！
協議酒店：
防疫提示：
會務組最新諮詢南京市衛健委並得到答覆，目前南京市全域均為低風險區，進出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內未曾去過中高風險區和出入境經歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京參加會議。
推薦活動：