11月1日，蘇州工業園區管理委員會公示了蘇州晶湛半導體有限公司新建氮化鎵外延片生產擴建專案環境影響報告書。

該報告書顯示，蘇州晶湛半導體有限公司成立於2012年3月，租用蘇州奈米科技發展有限公司位於蘇州奈米城西北區19棟的廠房，從事氮化鎵電子材料和光電材料的研發。

本次專案擬投資28000萬元進行異地擴建，在蘇州工業園區百川街西、南蕩田巷北自購土地建設新廠區，建成後年產氮化鎵外延片24萬片。其中，6英寸和8英寸氮化鎵外延片年產能均為12萬片，用於製造微波功率器件和電力電子功率器。

專案預計2021年11月開工建設，2023年2月完成建築施工。

根據晶湛半導體官網介紹，2014年底，晶湛半導體在全球首家釋出其商品化8英寸矽基氮化鎵外延片產品，經有關下游客戶驗證，該材料具備全球領先的技術指標和卓越的效能，並填補了國內乃至世界氮化鎵產業的空白。截至目前，晶湛半導體已完成A+輪融資，用於擴大生產規模，150mm的 GaN-on-Si 外延片的月產能達1萬片。目前，晶湛半導體已擁有全球超過150家的著名半導體公司、研究院所客戶。

【熱門活動】

近年來，寬禁帶半導體已成為全球高技術競爭戰略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發展的熱點，基於寬禁帶半導體材料，半導體照明已經形成巨大規模的產業，並在電子功率器件領域繼續深入發展。為推動我國寬禁帶半導體領域的發展，加強各界交流與協同創新，第四屆全國寬禁帶半導體學術會議定於2021年11月7-10日在福建廈門舉辦，由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會、中國電子學會電子材料學分會及第三代半導體產業技術創新戰略聯盟共同主辦，廈門大學和南京大學聯合承辦。

屆時，來自國內寬禁帶半導體領域學術界和產業界的專家學者、科研人員、企業代表等，將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關裝置研發等領域開展廣泛探討，促進產學研用的深度交流與合作。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產業發展起到有力的推動作用。

據瞭解，晶湛半導體總裁程凱博士也將出席會議，並分享主題報告，歡迎大家參與交流合作！》》》

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