據7月29日南大光電釋出的公告，其承擔的國家科技重大專項（02 專項）已透過專家組驗收。其中就包括極大規模積體電路製造裝備及成熟工藝、先進7奈米光刻膠產品開發與光刻膠供給鏈產業化。

經專家組評定，透過專案的實施，寧波南大光電掌握了

ArF乾式和浸沒式系列光刻膠產品的原材料製備、配膠、分析檢測、應用驗證等關鍵技術

，在智慧財產權和人才培養等方面取得重要進展，完成了任務合同書規定的主要考核指標。

ArF光刻膠材料是積體電路製造領域的關鍵材料，可以用於

90nm - 7nm技術節點

的積體電路製造工藝，主要應用於高階晶片製造。而目前我國在ArF、KrF光刻膠領域市場份額很小，全球光刻膠市場還是被美國、日本壟斷。

儘管南大光電的7奈米ArF光刻膠目前只是小規模投產，在穩定量產階段仍然存在工藝上的風險，還需要持續的工藝改進和完善。但畢竟關鍵技術已經攻克，相信量產以及在國內市場的替代將很快實現。

對於目前中國晶片製造及整個半導體產業來說，最大的卡脖子專案

一是光刻機及檢測等關鍵裝置，二就是以光刻膠為代表的尖端原材料

。

華為麒麟處理器被斷供，顯示出中國晶片製造業的突出短板，就目前來看，中國晶片國產化的最大的障礙就是先進光刻機，但先進的光刻膠也是不可或缺。現在光刻膠有望很快攻克7nm級別，是一個很大的進步。

但國產光刻機目前水平仍在93nm以上，

上海微電子的28nm光刻機還在攻關中

。因光刻機設計的技術領域太多了，我們的差距又都很大，攻克難關還需多方投入、推進，以及必要的時間。關鍵的

光源系統、鏡頭及光路系統、精密工作臺

等技術都還在攻關中，可以說距離拿下先進光刻機這座山頭，還有太多難點。

不過再難也得繼續硬上，否則我們就會被美國一直制約著，一個華為已在先進晶片上被打壓住，更多的中國高科技企業也將難以順利發展。

而7nm光刻膠關鍵技術的突破，給中國半導體產業的獨立自主發展帶了個好頭。7nm光刻膠拿下了，5nm、3nm還會很遠嗎？

只要保持持續努力，光刻膠很快就不會再是我們的障礙

。

光刻機難度太大，我們還是可以分成兩個階段去攻克。

一是先實現28nm製程工藝的光刻機完全獨立國產

，就可以滿足80-90%的晶片製造需求，這是產業安全的基本保障。此後，就可以一鼓作氣直奔14nm、7nm、5nm等更先進的製程工藝，那時才可以徹底解決華為麒麟處理器的國產化。

路漫漫其修遠兮？但我們沒有別的路可走，只有全都拿下這一條路。