ESD測試，即靜電放電測試。

使用者做靜電測試前需要確認，做哪些ESD實驗？提供POD給實驗室確認是否有現成夾具，沒有的話要定製夾具。

北軟實驗室ESD夾具

ESD通常有以下幾種模式：

➢ HBM （人體模型）Human Body Model：模擬人體接觸到晶片管腳產生的ESD放電

• 通常測試條件為2000V， 可以採用步進式（step）增加電壓直至打死（fail），比如500V，1000V，1500V， 2000V till fail，也可以直接2000V。

• 樣品一般為3顆/組，也可以1顆/組（工程時）

➢ MM （機器模型）Machine Model：模擬生產加工過程中，生產裝置對晶片產生ESD放電

• 目前僅日本廠商有強制性要求，JEDEC已經作廢

• 樣品一般為3顆/組，也可以1顆/組（工程時）

➢ CDM （人體模型）Charged Device Model：模擬晶片運輸過程出現內部電荷累計條件下的ESD放電

• 通常測試條件為200V，500V， 可以採用步進式（step）增加電壓直至打死（fail），比如200V，250V，300V， till fail2000V，也可以直接500V。

➢ LU（閂鎖測試）Latch-up test：指cmos晶片中， 在電源power VDD和地線GND（VSS）之間由於寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路， 它的存在會使VDD和GND之間產生大電流

• 通常溫度通常為室溫（25度），也可高溫（85度，125度等），通常測試條件為100mA，1。5 x VCC，也可200mA，1。5 x VCC

• 樣品一般為3顆I-test（電流測試），3顆 Vsupply Overvoltage test（過電壓測試），共計6顆，也可6顆/組，都測。

➢ 曲線測試 IV Curve Trace：量IC 管腳的電壓電流（I-V）曲線

➢ EOS測試 電過應力測試 Electrical Over Stress ：

• 就是用MK2或者MK4做過壓測試➢ TLP測試 Transmission Line Pulse

• 一般設計公司需要做， 使用TLP脈衝方波評估晶片的ESD效能，可以是Wafer，die或封裝後成品。

• 通常0V打到fail

➢ ESD-gun 靜電槍測試

• 模擬單板、系統外部介面在帶電插拔等情況下的ESD放電，板級、系統級ESD測試，不針對晶片進行

• 通常電壓較高，會打2KV以上，甚至10KV，20KV。➢ EFT Test 電快速脈衝群測試：Electrical Fast Transient

• 板級、系統級ESD測試，不針對晶片進行• 通常都會打2KV，4KV

➢ Surge Test 浪湧測試，低壓雷擊測試

• 板級、系統級ESD測試，不針對晶片進行，測試電磁干擾能力，檢驗是否能抵抗脈衝和噪聲的干擾• 一般是從Vcc max打到fail， 比如step 0。5V till fail