集微網訊息，英特爾2022年投資者大會於北京時間2022年2月18日早晨召開，會上，英特爾分享了當前的技術進展。

在這裡需要指出的是，早於2021年，英特爾就更新了CPU工藝路線圖，並且開始改名，其中，10nm工藝變成了Intel 7，7nm變成了Intel 4，未來還有Intel 3、Intel 20A。

本次投資會上，英特爾提到，在製程方面，隨著第12代英特爾®酷睿™處理器的推出，以及2022年即將推出的其他產品，Intel 7正在生產並批量出貨。此外，

Intel 4（7nm）將採用極紫外光刻（EUV）技術，預計在2022年下半年投產，其電晶體的每瓦效能將提高約20%。

Intel 4也將是英特爾首個使用EUV光刻機的工藝。

可以看出英特爾在先進製程工藝上正加快發展腳步，試圖追趕臺積電、三星等競爭對手，頗有一種想要重奪晶圓代工龍頭地位的氣勢。

此外，Intel 3將具備更多功能，並在每瓦效能上實現約18%的提升，預計在2023年下半年投產。Intel 20A透過RibbonFET和PowerVia這兩項技術開啟埃米時代，將在每瓦效能上實現約15%的提升，並將於2024年上半年投產。Intel 18A在每瓦效能上將實現約10%的提升，預計在2024年下半年投產。

據瞭解，RibbonFET是Intel對Gate All Around電晶體的實現，它將成為英特爾自2011年率先推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但佔用的空間更小。PowerVia則是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，透過消除晶圓正面供電佈線需求來最佳化訊號傳輸。

反觀競爭對手方面，

臺積電此前表示，3nm製程進展符合進度，於2021年試產，並將於2022年下半年量產。三星電子則宣佈將於2022年上半年開始生產首批3nm晶片，第二代3nm晶片預計將於2023年開始生產。

需要注意的是，雖然唯工藝節點論英雄的網友，一直在吐槽英特爾。但是根據Digitimes按照電晶體密度（即每平方毫米的晶片中，電晶體的個數是多少）算出來的報告：英特爾的10nm工藝，相當於臺積電的7nm工藝，接近三星的5nm工藝；

英特爾的7nm工藝，甚至比三星的3nm還要強，比肩臺積電的5nm工藝

；英特爾的5nm工藝，比臺積電的3nm還要強，甚至比肩IBM之前公佈的2nm工藝。

可以預想，隨著這三家代工龍頭最新工藝節點的投產，今年在先進製程的競爭將尤為激烈。

（校對/holly）

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