作為A股IGBT頭龍頭，斯達半導（603290）今年上半年淨利潤再創歷史新高，逼近去年盈利全面水平。9月16日半年度業績說明會上，董事長兼總經理沈華表示，目前公司正在積極擴產，以滿足在新能源汽車、新能源發電、儲能等行業不斷增長的市場需求。

新一代IGBT晶片大批次應用

根據Omdia統計報告，斯達半導2020年度IGBT模組的全球市場份額佔有率國際排名第6位，在中國企業中排名位居首位，成為國內汽車級IGBT模組的主要供應商。

2022年上半年，斯達半導體實現營業收入11。54億元，同比增長六成，歸屬於上市公司股東的淨利潤3。47億元，同比增長1。25倍。公司在手訂單增長速度，報告期內合同負債專案同比上期增長近四倍；公司也加大了研發投入，上半年研發費用同比增長超過七成。

從業務板塊來看，斯達半導在新能源行業強勁增長，營業收入同比增長近兩倍至5。47億元，規模逼近工業控制和電源行業營收規模，公司變頻白色家電及其他行業的營業收入為4070。2萬元，較上年同期增長近兩成。

沈華介紹，目前斯達半導基於第六代Trench Field Stop技術的全系列自主IGBT晶片已經廣泛應用於公司下游各行業，電壓等級覆蓋600V/650V/950V/1200V/1700V等，晶片自主比率接近100%。同時，公司基於第七代微溝槽Trench Field Stop技術的新一代IGBT晶片已經在下游各行業開始大批次應用。

從20世紀80年代至今，IGBT晶片經歷了6代升級，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場—截止型（FS-Trench），斷態電壓也從600V提高到6500V以上。斯達半導於2011年和2015年成功獨立地研發出NPT型晶片和FS-Trench晶片，在 650V、750V、1200V、1700V 等中低壓 IGBT 晶片已經實現國產化，但高壓功率晶片仍依賴進口。

今年上半年，斯達半導生產的應用於主電機控制器的車規級IGBT模組持續放量，合計配套超過50萬輛新能源汽車，預計下半年配套數量將進一步增加，其中A級及以上車型超過20萬輛。同時公司在用於車用空調、充電樁、電子助力轉向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高。

進一來看，公司基於第六代Trench Field Stop技術車規級IGBT模組新增多個雙電控混動以及純電動車型的主電機控制器平臺定點，有望對2024年-2030年公司新能源汽車IGBT模組銷售增長提供持續推動力；另外，基於第七代微溝槽Trench Field Stop技術的新一代車規級650V/750VIGBT晶片透過客戶驗證，下半年開始批次供貨。

SiC MOSFET模組大批次裝車

斯達半導體也在積極拓展碳化矽（SiC）賽道。與IGBT方案比，SiC MOSFET 方案可以有效的提升新能源汽車持續續航能力、空間利用等關鍵性指標，同時還可以減小電機控制器的體積，以特斯拉為代表的部分中高階車型已經開始使用SiC MOSFET方案。

根據IHS資料，受新能源汽車行業龐大的需求驅動，以及光伏風電和充電樁等領域對於效率和功耗要求提升的影響，預計到2027年碳化矽功率器件的市場規模將超過100億美元，預計2018-2027年的複合增速接近40%。

去年斯達半導非公開發行股票募資35億元，投向高壓特色工藝功率晶片研發及產業化以及SiC晶片研發及產業化等專案。其中SiC專案總投資5億元，達產後預計將形成年產6萬片6英寸SiC晶片生產能力。從最新募投進展來看，SiC晶片專案累計投入已達到2。4億元。

沈華介紹，募投專案進展十分順利。對於美國出臺的晶片法案影響，沈華表示目前公司生產經營正常，公司將積極關注相關政策對行業及公司帶來的潛在影響。公司下游行業需求景氣度較高，以新能源汽車、新能源發電等行業快速發展，公司將把握市場機遇不斷擴大市場份額。

據披露，斯達半導應用於乘用車主控制器的車規級SiC MOSFET模組開始大批次裝車，同時公司新增多個使用車規級SiC MOSFET模組的800V系統的主電機控制器專案定點，預計將對公司2024-2030年主控制器用車規級SiC MOSFET模組銷售增長提供持續推動力。

在光伏儲能，斯達半導自主晶片的650V/1200V單管IGBT和模組可提供從單管到模組全部解決方案，已成為戶用和工商業併網逆變器和儲能變流器的主要供應商，同時，公司應用於光伏行業的1200VIGBT模組在1500V系統地面電光伏電站和儲能系統中開始批次應用。

今年7月份斯達半導股價持續上漲，但在8月以來持續震盪。前十大股東中，浙江興得利紡織持有公司股權比例最新從18。3090%減少至13。3099%。