一般認為28nm以下的工藝就已經是先進工藝了。而真正拉開不同公司的差距的是7nm。當臺積電，三星爭相進軍3nm之時，昔日霸主intel仍然在10nm掙扎，遲遲無法突破。GlobalFounries早早放棄了7nm的研發。中芯國際仍在追趕，不過目前只是剛剛突破了12nm工藝。真正突破了7nm並繼續前進的，目前僅有臺積電和三星兩家。

7nm是一個非常關鍵的節點，它是DUV光刻機所能達到的極限。從7nm開始，EUV光刻機將成為必須。沒有EUV光刻機，將無法再進行下一代工藝的研發。

臺積電的初代的7nm工藝，就完全由DUV光刻機實現。相對於臺積電的上一代主要工藝節點16nm，7nm可以提供3。3倍的電路密度。相同功耗，可以提供35·40%的效能提升。如果基於相同的效能做比較，功耗可降低65%，非常可觀。 後來，臺積電基於初代7nm工藝，在生產步驟上進行了最佳化，推出了一個改進版本。叫做7nm效能增強版（7nm Performance-enhanced version，n7p）， 效能有所提升，約7%。

在引入EUV光刻機之後，首次應用在7nm的一些步驟的改進上。一些在DUV光刻機下需要多次曝光才能夠完成的圖形，由於EUV的引入，可以一次完成。這樣做的好處就是能夠減少多次曝光所引入的不可控的畸變，從而提升晶片的一致性和良率。引入EUV的7nm，被命名為N7plus。根據臺積電方面的資料，n7plus和初代n7工藝相比，電路密度提升1。2倍，相同功耗情況下，效能可提升10%。相同效能下，功耗可降低15%。

這些就是DUV和EUV在7nm工藝的差異。

臺積電馬不停蹄，繼續將EUV更多的應用與生產步驟中，推出了6nm（n6），這個工藝相容7nm，也就是說，客戶的7nm的設計，可以透過shrink的方式，生產處6nm工藝的晶片。N6用的客戶不多。因為對於追求極致功耗的或者極致效能的客戶，往往會直接選擇5nm（N5）。 更何況，更先進的N5可能會先於N6量產。不過成本上，n6相比於n5，更為便宜。

臺積電5nm工藝（n5）是繼n7之後的主要工藝節點。可以說是現在能夠量產的最先進的工藝。而N5的產能也不是一般的公司能夠拿到。訊息稱，臺積電n5的產能的一半以上都被蘋果所佔有，即便是高通，AMD這樣的臺積電的老客戶，也無法拿到足夠的產能。目前，N5仍處於產能爬坡期。臺積電在美國正在建立6座5nm工廠。不過預計建成仍需要數年時間。

和N7相比，N5可以提供1。8倍的電路密度，相同功耗下15%的效能提升以及相同效能下，30%的功耗降低。

如果說7nm，在沒有EUV光刻機情況下，還可以研發出來。那麼在5nm，這將是不可能的。在EUV光刻機情況下，很多層也需要透過多次曝光的方式才能實現。N5，是第一個大量應用EUV光刻機的工藝（intensive EUV）。

N5的下一代工藝就是3nm。自16nm開始，電晶體開始採用finFET結構。而到了3nm，FinFET結構也接近了極限。在臺積電看來，FinFET仍然可以應用於3nm。而三星則走了另外一條路，GAAFET（Gate-all-around FET）。而與GAAFET類似的新結構，臺積電準備應用於2nm工藝上。

簡單來說，三星的GAAFET有進一步改進的潛力，例如2nm工藝。而臺積電的FinFET 3nm，則成本更低。

根據臺積電的計劃，3nm的正式引入，應該在2022年。而三星已經搶先一步，釋出了3nm工藝晶片。不過這款晶片是一款SDRAM儲存晶片，並非通常意義上的soc晶片。由於三星的策略一直比較激進，以往相同工藝做比較的話，效能以及功耗等方面和臺積電還是有一定差距。例如，蘋果就曾同時將手機晶片交給臺積電以及三星兩家生產，在效能功耗方面，臺積電的晶片都明顯優於三星。因此，3nm哪家更強，我們還是拭目以待吧。

在晶片製造領域，已經形成了臺積電，三星雙寡頭格局。我國目前已經取得了12nm上的突破。基於現有的DUV光刻機，理論上仍然可以實現7nm的工藝製程。

光刻機，晶片製造，EDA仍然是目前是落後於國際的少數領域之一。由於全國各界的重視，突破也只是遲早的事。 另外，美國安全域性也釋出報告稱，美國產業鏈過度依賴臺積電。歐盟委員會正式釋出的《2030 DigitalCompass》規劃書，大力發展下一代2nm的先進製造。因此，全球半導體產業呈現出了去臺灣化的趨勢，值得臺積電警惕。