眾所周知，在華為被斷芯後，中國科技幾乎都聚焦於半導體產業，就是為了能夠在晶片製造方面取得突破，從而打破美晶片“卡脖”，實現晶片自由。經過；而一段時間的努力，不可否認，中國在半導體領域有了很大的進步，尤其在晶片封裝工藝上取得了重大突破。目前，中國已經成功突破了4nm封裝工藝，和全球頂尖水平相當。那麼這是否就意味著，中國芯崛起了？

晶片製造過程很複雜，主要分為三個環節，其一就是晶片設計，華為海思在這方面是強項，華為手機所使用的麒麟晶片就是由華為海思設計，然後交給臺積電等晶片代工廠進行生產。所以在華為被斷供後，華為海思設計的晶片就無法被代工了。

其二就是晶片製造，這也是目前中國晶片產業所面臨的最大難題。晶片製造過程中自然離不開製造裝置、原材料等等。尤其要製造高階晶片就少不了EUV光刻機，ASML公司受限於晶片禁令，無法出貨給中國科技企業，所以這也給我國製造高階晶片造成了不小的麻煩。

其三就是晶片封裝，晶片製造出來以後，需要經過封裝才能使用。封裝工藝的高低也能直接影響晶片的良品率，所以封裝工藝在整個晶片製造過程也起到了關鍵性的作用。

就目前來看，我國在晶片封裝技術是處於領先水平的，4nm封裝工藝的突破，確實給了中國芯一個機會。目前先進製程工藝其實已經無限接近於物理極限了，所以如果想要打造高階晶片，或許要解決的並不是EUV光刻機的問題，而是找到另外的方法，而封裝技術可能就會成為一個新的突破口。

以蘋果為例，蘋果釋出的M1 Ultra晶片就是透過臺積電CoWoS-S封裝技術實現了效能疊加，實現了1+1＞2的效果。而華為也申請了晶片疊加專利，只要將兩枚14nm晶片疊加在一起，就能擁有等同7nm晶片的效能水平。

話說回來，就算中國的封裝工藝還沒有達到頂尖水平，這也是全球晶片產業需要思考的問題。物理極限是繞不開的，這也是全球晶片發展的瓶頸。所以與其將更多的精力放在研發EUV光刻機上，還不如想想有什麼新技術能夠取代光刻機，一旦中國芯抓住了這個機會，或許就能實現彎道超車。

最後，中國晶片封裝工藝有所突破，對於中國芯的發展是具有積極意義的。在頂尖的封裝工藝加持下，透過多晶片的重組堆疊，我們也能實現和高階晶片同樣的效能水平。而這也將降低中國芯對光刻機的依賴，也算是“去美化”程序中的重要一步。

當然，晶片製造這條路並不好走，歐美國家起步較早，給中國芯建起了重重技術壁壘。我們只能“關關難過關關過”，一步一步來，不能太心急了！只要每一步都走的踏實，總有一天我們能夠打破美晶片的“拉脖”。對此，你怎麼看呢？歡迎評論留言！