美國布法羅大學科研團隊開發了一種新形式的功率MOSFET電晶體，這種電晶體可以用最小的厚度處理難以置信的高電壓，可能會提升電動汽車電力電子元件效率。金氧半導體場效應電晶體，也就是我們常說的MOSFET，是各種消費類電子產品中極為常見的元件，尤其是汽車電子領域。

功率MOSFET是一種專門為處理大功率負載而設計的開關。每年大約有500億個這樣的開關出貨。實際上，它們是三腳、扁平的電子元件，可作為電壓控制開關。當在柵極引腳上施加足夠的（通常是相當小的）電壓時，就會在其他兩個引腳之間建立連線，完成一個電路。它們可以非常快速地開啟和關閉大功率電子器件，是電動汽車不可或缺的一部分。

透過建立基於氧化鎵的MOSFET，布法羅大學的團隊聲稱，他們已經研究出瞭如何使用薄如紙的電晶體來處理極高的電壓。當用一層常見的環氧樹脂聚合物SU-8 “鈍化 ”後，這種基於氧化鎵的電晶體在實驗室測試中能夠處理超過8000伏的電壓，然後才會出現故障，研究人員稱這一數字明顯高於用碳化矽或氮化鎵製成的類似電晶體。

實驗當中，氧化鎵的帶隙數字為4。8電子伏特，令人印象深刻。帶隙是衡量一個電子進入導電狀態所需的能量，帶隙越寬，效果越好。矽是電力電子器件中最常見的材料，其帶隙為1。1電子伏特。碳化矽和氮化鎵的帶隙分別為3。4和3。3電子伏特。因此，氧化鎵的4。8電子伏特帶隙使其處於領先地位。

透過開發一種能夠以極小的厚度處理極高電壓的MOSFET，布法羅團隊希望其工作能夠為電動車領域、機車、飛機、微電網技術以及潛在的固態變壓器等更小、更高效的電力電子器件做出貢獻。

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