Nexperia宣佈推出一系列採用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效電晶體。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通效能，並具有更好的穩定性。由於採用了級聯結構並優化了器件相關引數，Nexperia的氮化鎵場效電晶體無需複雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的矽MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。

新一代氮化鎵技術針對汽車、5G 和資料中心等應用；新器件採用了傳統的TO-247封裝和創新的銅夾片貼片封裝CCPAK

新的氮化鎵技術採用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷並且晶片尺寸可縮小約24%。TO-247 封裝的新器件，導通電阻RDS（on）降低到僅 41mΩ（最大值，25℃的典型值為 35mΩ），同時具有高的柵級閥值電壓和低反向導通電壓。CCPAK封裝的新器件，將導通電阻值進一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值為 33mΩ）。兩種封裝的新器件均符合 AEC-Q101 標準，可滿足汽車應用的要求。

Nexperia氮化鎵戰略營銷總監 Dilder Chowdhury表示：“客戶需要導通電阻RDS（on）為30~40mΩ的650V新器件，以便實現經濟高效的高功率轉換。相關的應用包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發動機牽引逆變器；以及1。5~5kW鈦金級的工業電源，比如：機架裝配的電信裝置、5G裝置和資料中心相關裝置。Nexperia持續投資氮化鎵開發，並採用新技術擴充產品組合。首先為功率模組製造商提供了傳統的 TO-247封裝器件和裸晶片，並隨後提供我們高效能的CCPAK 貼片封裝的器件。”

Nexperia 的 CCPAK貼片封裝採用了創新的銅夾片封裝技術來代替內部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗，最佳化電氣和熱效能，並提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，並有助於進一步改善散熱。

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