韓國首爾，三星總部大樓。人民視覺  資料圖

6月22日，三星電子否認了韓國當地媒體《東亞日報》有關延後3奈米量產的報道。 三星一位發言人透過電話表示，三星目前仍按進度於第二季度開始量產3奈米晶片。

《東亞日報》此前報道稱，由於良率遠低於目標，三星3奈米量產將再延後。

6月21日，韓媒BusinessKorea報導，三星為趕超臺積電，加碼押注3奈米環繞閘極技術（GAA）技術，希望未來三年建立GAA技術的3奈米晶片製程，並在2025年量產以GAA製程為基礎的2奈米晶片。

BusinessKorea報道說，據傳三星6月初已匯入3奈米GAA製程，進行試驗性量產，成為第一家運用GAA技術的公司，希望技術能達成量子級的躍進，縮短和臺積電之間的差距。

三星的策略是今年上半年把GAA技術應用於3納米制程，計劃明年把GAA技術匯入第二代3奈米晶片。而臺積電的策略則是在今年下半年以穩定的FinFET製程，進入3奈米半導體市場。

臺積電日前披露，公司2納米制程將於2025年開始量產後。三星則希望押注3奈米環繞閘極技術（GAA）技術，將在未來三年完成建立GAA技術的3奈米晶片製程，並在2025年量產以GAA製程為基礎的2奈米晶片。屆時，兩家企業將同步量產最先進的2納米制程。

據BusinessKorea報導，GAA是改善半導體電晶體結構的下一代製程技術，讓閘極能夠接觸電晶體的四個側面，相較於當前鰭式場效電晶體（FinFET）只能接觸電晶體三個側面的情況，GAA結構可比FinFET製程更精準控制電流。三星正押注把GAA技術應用到3納米制程，以便追趕臺積電。

據悉，三星3奈米工藝將半導體的效能和電池效率分別提高了15%和30%，同時與5奈米工藝相比，芯片面積減少了35%。