IBM宣佈造出了全球第一顆2nm製程的半導體晶片。核心指標方面，IBM稱該2nm的電晶體密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆電晶體）為333。33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預估臺積電3nm製程的292。21 MTr/mm2要高。

換言之，在150平方公毫，也就是指甲蓋大小面積內，就能容納500億顆電晶體。

同時，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其效能比當前7nm高出45%，輸出同樣效能則減少75%的功耗。

實際上，IBM也是率先造出7nm（2015年）和5nm（2017年）晶片的廠商，在電壓等指標的定義上很早就拿下主導權。回到此次的2nm上，採用的是GAA（環繞柵極電晶體）技術，三層。IBM介紹，這是第一次使用底介電

隔離

通道，它可以實現12 nm的柵長，其內部間隔是第二代幹法設計，有助於奈米片的開發。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。

IBM並沒有自己的晶圓廠，2014年其製造工廠賣給了格芯，但兩者簽署了10年合作協議，另外，IBM也和三星、Intel保持合作。

關於GAA電晶體技術，三星3nm、Intel 5nm以及臺積電2nm均將首次採用。至於臺積電，今年才宣佈2納米制程將要等到2023年才會進行風險試產。