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021（秋季）USB PD＆Type-C亞洲展將於11月26日（週五）在中國深圳舉辦，作為2021年年度

重要

的消費類快充電源行業展會，現場將匯聚上百家USB PD＆Type-C產業鏈企業，並有多達上千款的新品展出。同時，本次展會預計將吸引眾多

專業觀眾蒞臨現場，成為快充產業相關人士面對面洽談、技術交流、學習成長的平臺。

USB PD＆Type-C亞洲展由充電頭網發起，自2016年以來已經連續舉辦十餘屆。經過多年沉澱，該展會已經成為USB PD＆Type-C領域頗具影響力、覆蓋面廣泛的活動之一，眾多從業人員更是將這一展會規劃為每年重要行程。

USB PD＆Type-C亞洲展采用展會與研討會相結合的模式，其中展會部分主要圍繞快充產業鏈中的晶片、器件、方案、參考設計、典型應用案例等展開，眾多廠商將藉助這一展會發布年度新品；研討會部分則會邀請十餘位行業專家，為大家分享最新的快充技術以及市場風向，幫助產業鏈人士提前洞悉市場，搶佔先機。

作為第三代半導體材料，氮化鎵一直都是快從行業的熱議話題。其執行速度比傳統矽（Si）技術快了20倍，並且能夠實現高出三倍的功率，用於尖端快速充電器產品時，可以實現遠遠超過現有產品的效能。比如在尺寸相同的情況下，氮化鎵快充的輸出功率提高了三倍。

在近幾年迅速繁榮的快充市場中，氮化鎵扮演著重要的角色，從2018年第一款的氮化鎵快充的問世，到現如今16家一線手機、筆電品牌入局，氮化鎵快充的發展如同雨後春筍，市售量產的氮化鎵快充產品，也在短短三年中飆升至數百款，並在消費類電源市場中的佔比越來越高，成為行業人士茶餘飯後的熱議話題。

隨著USB PD3。1快充技術的釋出

，

大功率、小體積的電源逐漸成為市場的新訴求，

就連蘋果也推出了140W氮化鎵快充，這讓氮化鎵快充市場更為活躍。為此，充電頭網也專門採訪了4家氮化鎵廠商的專家，分享了眾多幹貨。

2021（秋季）USB PD＆Type-C亞洲展開幕在即，為了讓大家對其有更深入的瞭解，充電頭網已經對參展商進行了分類。今天要為大家分享的是一直活躍在消費類電源領域的10家氮化鎵功率器件原廠。他們分別是英諾賽科、英嘉通、芯幹線、鎵未來、怡海能達、Transphorm、熙素微、聚能創新、芯冠科技、氮矽科技。

下面就來看看這款廠商分別帶來了哪些新品。

排名不分先後，按展位順序排序。

B03-B04展位：英諾賽科科技有限公司

英諾賽科，全球領先的矽基氮化鎵IDM企業，致力於8英寸GaN電力電子器件的研發與生產。產品主要包括高壓GaN FETs，低壓（200V及以下）GaN FETs，及GaN IC，分別應用於5G基站、工業網際網路、資料中心、自動駕駛、5G通訊、快充等領域。以先進的工藝和領先的器件效能，實現終端應用高頻高效、小體積化，為綠色環保做出貢獻。

對於USB PD3。1快充標準釋出，英諾賽科高階產品應用經理 鄒豔波表示：

PD協議的發展推動快充大有可為，隨著USB PD3。1 協議的推出，功率可以覆蓋到240W， 未來可能進一步拓展到300W以上，不僅僅滿足手機和筆記本的應用，還能用於電動工具、電動腳踏車、TV等裝置。傳統Si MOS電源將不再滿足市場所需，兼顧高頻、高效特性的氮化鎵器件成為當前快充介面卡的不二之選。採用英諾賽科推出的All GaN方案還將進一步提升工作頻率和效率，縮小體積，為使用者來帶更便捷、更高效的充電體驗。

B07展位：蘇州英嘉通半導體有限公司

英嘉通半導體有限公司成立於2019年2月，位於深圳南山區科技園和蘇州相城區高鐵新城。公司組建了一支由華為、中興、國內外知名公司工作多年的團隊，在射頻和功率半導體領域深耕十多年，具有堅實的晶片設計能力及豐富的半導體產品銷售經驗。公司專注化合物半導體，在基站PA及氮化鎵功率器件方向佈局自主專利技術。

B08展位：南京芯幹線科技有限公司

南京芯幹線科技是一家由資深海歸博士、電源行業精英等一群有著激情與夢想的專業人士創立的寬禁帶功率半導體公司。芯幹線專注於提供先進的650V增強型（E-mode）氮化鎵功率器件（xGaN系列）和650V/1200V碳化矽肖特基二極體（xSiC系列）功率器件。公司擁有一流的氮化鎵電源方案開發設計團隊，可以為客戶提供完整的氮化鎵電源解決方案和客製化的技術服務。

B09展位：珠海鎵未來科技有限公司

珠海鎵未來科技有限公司是專注於第三代半導體GaN-on-Si器件技術創新研發與應用的高階氮化鎵功率器件設計製造商，核心團隊由IEEE Fellow 吳毅鋒博士領銜，深港微電子學院創始人及前華為海思化合物把電腦提創始成員組成。具有成熟的產業化研發和市場運營經驗。

鎵未來致力於為業界提供從30W到10KW的氮化鎵器件及系統解決方案，並可實現10KW和900V氮化鎵器件的量產。

對於USB PD3。1快充標準釋出，鎵未來總經理 蔡學江表示：

隨著PD3。1的推出，電源介面卡最大功率由100W擴充套件到240W，PFC+橋式電路將成為設計的主流，並且需要更好的散熱方式。圖騰柱PFC線路能徹底解決整流橋的發熱問題。氮化鎵HEMT反向恢復電荷及恢復時間約為傳統超結MOSFET的1/10，是連續電流模式圖騰柱PFC線路的理想器件，從而實現高效率，小型化的240W介面卡。

珠海鎵未來科技致力於氮化鎵功率器件的研發和生產。其產品獨特的Cascode結構具有抗干擾能力強，高可靠性的特點，突破了普通氮化鎵器件只能做表貼封裝的侷限性。除了貼片DFN封裝器件外，鎵未來還能提供TO-220、TO-247等外掛封裝，有效改善散熱設計，實現高性價比的PD3。1介面卡解決方案。

B14展位：深圳市怡海能達有限公司

公司以“誠信、專業、奮鬥、共贏”為核心價值觀，透過提供高品質的產品和優質服務，贏得了國內外大批價值客戶的青睞和首肯，逐漸在業界樹立起公司良好商譽。未來公司發展將以無線通訊、手機3G/4G、平板和LED照明市場為基礎，逐步擴充套件到LTE和相關市場、物聯網和智慧家電、智慧電錶等相關市場、射頻識別、汽車及相關市場、醫療及相關市場，並最終形成一套完善的綜合服務及產品體系，力爭以全方位競爭優勢，成長為業界領先的電子元器件綜合服務提供商。

C08展位：Transphorm Inc。

Transphorm Inc 是一家全球半導體公司，開發用於高壓功率轉換應用的氮化鎵（GaN）電晶體和模組。Transphorm以業界領先的IP產品組合以及300多年的GaN工程專業知識為基礎，為不斷增長的客戶群提供最高效能、最高可靠性的GaN裝置和一流的應用驅動設計支援。

C11展位：上海熙素微電子科技有限公司

上海熙素微電子科技有限公司（以下簡稱“熙素微電子”）是一家聚焦於氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）半導體領域的高科技晶片公司， 註冊在上海自貿區臨港新片區。

熙素微電子的技術由三個經驗豐富功率器件開發小團隊組成，他們服務於熙素微電子之前都有15年工作經驗；自成立之日起便啟動6英寸GaN FET、SiC MOSFET的產品研發工作。經過一年的深度研發整合和極力攻關，成為一家掌握6英寸GaN FET、SiC MOSFET器件開發和SBD工藝，以及驅動晶片的公司。

熙素微電子以IDM模式與國內一線半導體行業的合作伙伴完成晶圓製造、晶片封裝、模組封裝、效能測試和可靠性測試等工作環節，為電力電子、電動汽車、新能源產業等提供GaN 、SiC功率器件及驅動晶片解決方案，同時打造我國獨立自主的氮化鎵和碳化矽電力電子產業鏈關鍵環節做貢獻。

D06展位：青島聚能創芯微電子有限公司

青島聚能創芯微電子有限公司坐落於青島國際創新園區，主要從事第三代半導體矽基氮化鎵（GaN）的研發、設計、生產和銷售，專注於為業界提供高效能、低成本的GaN功率器件產品和技術解決方案。

公司掌握業界領先的GaN功率器件與應用設計技術。致力於整合業界優勢資源，打造GaN器件開發與應用生態系統，為PD快充、智慧家電、雲計算、5G通訊等提供國產化核心元器件支援。背靠上市公司賽微電子（300456）與知名投資基金支援，聚能創芯建立了業界領先的管理和技術團隊。在產品研發與量產過程中，始終堅持高品質與高可靠性的要求。在得到合作伙伴廣泛認同的同時，逐步成為第三代半導體領域的國際知名企業。

對於USB PD3。1快充標準釋出，聚能創芯總經理袁理表示：

新的USB PD3。1快充標準支援最高48V的電壓輸出、最大240W的輸出功率。這將把USB PD的應用擴充到行動式裝置、物聯網裝置、智慧家居、通訊和安防裝置、汽車和醫療等領域。USB PD3。1的推出，為我們國產半導體器件廠商打破國外廠商壟斷並實現彎道超車提供了強有力的助力，也給氮化鎵行業的快速發展帶來了機遇。

由於USB PD應用的擴充，市場對氮化鎵產品的需求必將大幅度提升，在一些新的應用場景下尤其是大功率應用上氮化鎵的高頻率、高效率等優勢將會被充分發揮出來，這對某些應用領域有可能帶來顛覆性的改變。當然機遇與挑戰往往是並存的。隨著市場需求量的增加，需要應對市場供貨緊張問題。由於應用場景的擴充，相對應的氮化鎵產品的品類也需要更加豐富，產品應用方面的技術也需要提前儲備，並提前進行產業佈局。

E05展位：大連芯冠科技有限公司

大連芯冠科技有限公司是由海外歸國團隊於2016年3月創立的半導體企業，從事第三代半導體矽基氮化鎵外延材料及功率器件的研發、設計、生產和銷售，現擁有一條國際先進的6英寸半導體器件生產線，涵蓋MOCVD外延爐及外延表徵裝置、半導體晶片生產線、晶圓在片檢測系統、可靠性測試系統和應用開發系統，已實現6英寸650伏矽基氮化鎵外延片和各種規格功率器件的量產，功率器件電源功率的應用範圍範圍低至30W，高至6KW。

器件可廣泛應用於消費類電子（快充、大功率介面卡等）、電動汽車、太陽能逆變器、工業馬達驅動等行業。芯冠氮化鎵功率器件的特點是抗擊穿電壓高達1500V以上，相容標準MOS的驅動，應用開發簡單。

對於USB PD3。1快充標準釋出，芯冠科技市場營銷副總孫大慶表示：

USB PD3。1標準推動電源行業進入“萬物皆可充”時代，為整個電源行業帶來全新的市場，尤其是快充晶片、MOS、協議晶片、E-Marker晶片、充電線纜、USB-C聯結器等相關產業鏈將獲得重大利好。

超百瓦USB裝置高功率供電需要更高能效的功率器件，這無疑將給當前火熱的氮化鎵（GaN）市場再加一把火，而隨著快充功率升級，相容充電器PD協議解析也將快速發展以支援原廠裝置。

對於已開發出具有高安全高可靠性氮化鎵功率器件（功率範圍涵蓋30W-10KW）的大連芯冠科技有限公司而言，將迎來高速發展的契機！

F02展位：成都氮矽科技有限公司

氮矽科技成立於2019年4月，專注於氮化鎵功率器件及其驅動晶片的設計研發、銷售及方案提供。2020年3月，氮矽科技釋出國內首款氮化鎵超高速驅動器DX1001，同年4月推出國內多款量產級別的650V氮化鎵功率晶片DX6515/6510/6508，進軍PD快充行業。目前可提供65W 2C1A、65W單C、120W 2C1A等多種應用解決方案。

充電頭網總結

氮化鎵功率器件相較傳統矽器件而言，在諸多方

面都有絕對的優

勢。

本次展會招募的這10家氮化鎵功率器件原廠中，各家的氮化鎵器件都已經達到了量產級別，配套開發的參考設計更是多達數十款，為氮化鎵快充市場的進一步繁榮提供了強有力的技術支撐。

隨著技術的成熟，氮化鎵功率器件的成本也在逐步向矽器件逼近，未來也將有更多廠商加入到氮化鎵快充市場中。在未來的消費類電源市場中，氮化鎵可謂是前景廣闊！