11月26日訊息，聯電和美光今日宣佈達成全球和解協議，雙方將各自撤回向對方提出的訴訟，同時聯電將向美光一次支付金額保密的和解金，雙方將共創商業合作機會。

聯電與美光的訴訟案源自於2016 年5 月，聯電與福建晉華簽署了合作協議。依據該協議，聯電與晉華共同開發兩代動態隨機存取記憶體（DRAM） 製程。協議中所開發的DRAM 製程並非最新技術，而是與2012 年已用於量產技術相似的舊技術。

然而，有3 位參與DRAM 合作案的臺灣美光前員工，卻違反與聯電簽訂的僱傭合約與宣告書，攜帶前公司資訊進入聯電並於工作中參考，又將機密資料轉移給晉華，美光因此在臺灣起訴聯電，同年又在美國對聯電、晉華提起訴訟，隨後美國司法部開始調查。

去年10 月28 日，聯電對竊取美光商業機密一案認罪，遭美國司法部處以6，000 萬美元罰金。

聯電當時指出，在與美國司法部的和解協議中，美國司法部同意撤銷對聯電原來包括共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項美光營業秘密和專利有關等指控。聯電承認侵害一項營業秘密，同意支付美國政府6，000 萬美元的罰金，並在3 年自主管理的緩刑期間內與美國司法部合作。

在今天的宣告中，美光科技表示，其為創新記憶體和儲存空間解決方案的業界領導者，擁有超過40 年技術引領與創新經驗及總數超過47，000 件的全球專利，積極大幅投資於先進研發及製造。該公司持續推動對於資料經濟至關重要的各項創新，對於智慧財產權的保護則是公司保持競爭力的重要基石。

聯電為半導體晶圓專工業的全球領導者之一，專注於邏輯及特殊技術，為跨越電子行業的各項主要應用提供高品質的晶圓製造服務。現在共有12 座晶圓廠，月產能總計約80萬片8吋約當晶圓。在各領域提供具有競爭力之產品及服務之際，將持續落實並最佳化有關營業秘密之保護與防免的政策與措施。

編輯：芯智訊-林子