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新器件採用了傳統的TO-247封裝和創新的銅夾片貼片封裝CCPAK新的氮化鎵技術採用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷並且晶片尺寸可縮小約24%...

▲英特爾在IEDM 2021上的研究突破一、新互連技術提升10倍密度，3D CMOS堆疊降低50%芯片面積對於先進製程的演進，盧東暉將其比作爬山，人們知道山頂在哪裡，但是不清楚路在哪裡，也不確定自己到底能否登頂、會花費多少時間，這都是行業領...

來自蔚山國立科學技術研究所的學者提出了一種自對接柔性熱器件(STD)，它可以在不需要外壓或表面修飾的情況下與平面和非平面基板形成堅固的範德華機械接觸和低阻熱接觸...

英諾賽科高階產品應用經理鄒豔波會上，英諾賽科高階產品應用經理鄒豔波帶來了題為“GaN助力LED驅動電源輕薄化”的主題報告，結合氮化鎵的特性，分享了GaN在LED驅動電源領域的應用，如何輕薄化、高頻助力磁器件的小型化、GaN提升系統工作頻率、...

透過使用GaN-on-Si技術在晶片上實現半橋（尤其在高壓下）是極具挑戰的，不僅在效能上受到背底效應的限制，導致電流降低，器件間串擾還會負面影響到半橋高側的開關及干擾控制電路的開關噪聲等...

由於採用了級聯結構並優化了器件相關引數，Nexperia的氮化鎵場效電晶體無需複雜的驅動和控制，應用設計大為簡化...

愛發科集團致力於各種電子半導體等前沿領域生產技術的研究和開發，特別是應用於大規模生產的下一代智慧能源的功率及射頻器件、MEMS及3D封裝等相關的真空技術（離子注入、鍍膜、等離子體刻蝕、灰化等）的研發和銷售推廣，不斷的為電子半導體制造工藝提供...

研究團隊開發了3D列印直接相干多墨水書寫技術，透過設計多核殼針的內部結構和結構，直接製造出具有超高面能量/功率密度的多合一同軸固態FASC器件...

山東天嶽在半絕緣型碳化矽市場上份額逼近國際巨頭在導電性SiC晶片（即用作功率器件襯底）上，國際巨頭優勢較大，但國內企業也在努力追趕...

目前，三石園科技的光纖環形器出貨量約6萬顆，所有產品的客戶規模已拓展至200家，其中公司在資料通訊領域和電信通訊領域出貨量最大，其次分別為儀器儀表、醫療、感測、自動駕駛等領域...

2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit嘉賓：黃潤華——中電科五十五所副主任設計師報告：碳化矽MOSFET技術問題及55所產品開發進展嘉賓：龔平——西安唐晶量子科技有限公司董事長報告：6 i...

D06展位：青島聚能創芯微電子有限公司青島聚能創芯微電子有限公司坐落於青島國際創新園區，主要從事第三代半導體矽基氮化鎵（GaN）的研發、設計、生產和銷售，專注於為業界提供高效能、低成本的GaN功率器件產品和技術解決方案...

露笑科技8月宣佈，將與合肥市長豐縣人民政府在合肥市長豐縣共同投資建設第三代功率半導體（碳化矽）產業園，包括但不限於碳化矽等第三代半導體的研發及產業化專案，包括碳化矽晶體生長、襯底製作、外延生長等的研發生產，專案投資總規模預計100億元：東尼...

復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊利用二維半導體新材料研發的新型儲存技術，既能在10納秒左右寫入資料，又實現了按需定製（10秒—10年）的可調控資料準非易失特性...

匯北川團隊在汽車溫度感測器和 DC-LINK 電容領域有著極其豐富的研發和生產管理經驗，產品已在國內優質頭部客戶定點量產銷售，得到市場充分認可，並在積極進軍國際頭部整車廠和 Tier1 廠商...

這都是北理工重慶創新中心羅飛團隊正研發的光譜成像技術的產業應用場景...

所有的無源器件，包括天線、電纜和聯結器、雙工器和濾波器、定向耦合器、負載和衰減器、避雷器、功率分配/合成器和鐵氧體環流器/隔離器等，無一例外都會產生互調失真...

1 與外部處理器進行資料連線透過中斷實現故障報告以 ASIL B 級為目標符合 AECQ100 標準AWR2243 高階 特性嵌入式自監控，有限使用主機處理器復基帶架構可以選擇級聯多個器件以增加通道數嵌入式干擾檢測功能電源管理內建 LDO ...

線距的合理設定可以有效減少串擾等想象，如常用的3W原則（即導線間的中心間距不小於3倍線寬時，則可保持70%的電場不互相干擾）03 器件之間的間距設定在PCB Layout時器件之間的間距是我們必須要考慮的事情，如果間距太小則容易導致焊接連錫...

據招股書介紹，東微半導體是國內少數具備從專利到量產完整經驗的高效能功率器件設計公司之一，並在應用於工業級領域的高壓超級結和中低壓功率器件產品領域實現了國產化替代，是少數能在超級結MOSFET領域突破海外技術壟斷的本土公司之一，積累了全球知名...